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CEP03N8	文件：401.43 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP03N8800V4.8Ω3A10V CEF03N8800V4.8Ω3A10V CEB03N8800V4.8Ω3A10V ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurre	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP03N8	文件：444.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB03N8	文件：444.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED03N8	文件：643.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,2.5A,RDS(ON)=4.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEF03N8	文件：444.05 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU03N8	文件：421.44 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■800V,2.5A,RDS(ON)=4.8Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU03N8	文件：643.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 800V,2.5A,RDS(ON)=4.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
RJK03N8DNS	文件：130.039 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelPowerMOSFETwithSchottkyBarrierDiodePowerSwitching Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=4.6mΩtyp.(atVGS=8.0V) •Pb-free •Halogen-free	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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