CEP02N6数据表ic资料供应代理华瑞CET-114ic电子网

首页 >CEP02N6>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
CEP02N6	文件：75.08 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. 文件：75.08 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEP02N6	文件：132.65 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：132.65 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP02N6	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	CET 华瑞	CET
CEP02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：539.32 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N65A	文件：397.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：397.41 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：350.41 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N65G	文件：398.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：398.62 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：599.68 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N6A	文件：592.86 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：592.86 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N6A	文件：125.19 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole. Lead free product is acquired. 文件：125.19 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
3
Pd(W)：
41
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创腾电子科技有限公司	CEP02N6	CET	23+	TO220/3	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEP02N6	CET	24+	TO2203	6734		询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEP02N6	CET/華瑞	23+	TO2203	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEP02N6	C	22+	TO-220F	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEP02N6	CET/華瑞	05+	TO-220	8008	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司	CEP02N6	CET	2025+	TO2203	3550	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	CEP02N6	CET	23+24	TO-220	59630	主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管	询价
上海金庆电子技术有限公司	CEP02N6	CET	05+	TO-220	8048	全新发货1-2天	询价
深圳市亿顺芯科技有限公司	CEP02N6	AD	25+	TO220/3	3000	原盒原标,正品现货诚信经营价格美丽假一罚十	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEP02N6G	SR	23+	TO-220	5000	原装正品,假一罚十	询价

更多CEP02N6供应商更新时间2026-4-21 16:31:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号