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CEP02N65A	文件：397.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：397.41 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP02N65A	文件：539.32 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant. 文件：539.32 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N65A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEP02N65D	文件：350.41 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：350.41 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP02N65G	文件：398.62 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. 文件：398.62 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP02N65G	文件：599.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. 文件：599.68 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
650
Rds(on)mΩ@10V：
10500
ID(A)：
1.3
Qg(nC)@10V(typ)：
6.9
RθJC(℃/W)：
3
Pd(W)：
41
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEP02N65A供应商更新时间2025-10-7 14:02:00

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