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CEM8435	文件：499.64 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-7A,RDS(ON)=34mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM8435	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM8435A	文件：501.02 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■-30V,-7.9A,RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfaceMountPackage	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM8435A	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP14A04	文件：0 bytes Page：0 Pages	CET TO251	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司相关企业：深圳市尼博电子有限公司	CET

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