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CEM7350	文件：183.32 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES ■100V,2.6A,RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V. ■-100V,-2.0A,RDS(ON)=320mΩ@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM7350	文件：807.98 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. 100V,2.6A,RDS(ON)=190mW@VGS=10V. -100V,-2.0A,RDS(ON)=320mW@VGS=-10V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM7350L	文件：620.61 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,2.6A,RDS(ON)=190mΩ@VGS=5V. RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■-100V,-2.0A,RDS(ON)=320mW@VGS=-10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Lead-freeplati	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM7350L	文件：808.43 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel) FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. 100V,2.6A,RDS(ON)=190mW@VGS=5V. -100V,-2.0A,RDS(ON)=320mW@VGS=-10V. RDS(ON)=180mW@VGS=10V. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM7350_08	文件：547.25 Kbytes Page：7 Pages	Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM7350L	文件：2.66647 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel and P-Channel MOSFET use advanced trench Technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

详细参数

型号：
CEM7350
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor(N and P Channel)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEM7350供应商更新时间2025-7-21 11:22:00

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