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CEP65A3	文件：101.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■25V,45A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=18mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHM65A3PAPT	文件：486.95 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE25VoltsCURRENT38Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
FGA65A3H	文件：394.66 Kbytes Page：12 Pages	VCE=650V,IC=15ATrenchFieldStopIGBT	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
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