首页 >CED630>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

CED630N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 200V, 7.5A, RDS(ON) = 0.36W @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. Lead free product is acquired.

文件:611.08 Kbytes 页数:4 Pages

CET-MOS

华瑞

CED630N

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:398.48 Kbytes 页数:4 Pages

CET

华瑞

CED630N

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.73292 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

CED630N

N Channel MOSFET

CET

华瑞

技术参数

  • BVDSS(V):

    200

  • Rds(on)mΩ@10V:

    360

  • ID(A):

    7.5

  • Qg(nC)@10V(typ):

    19

  • RθJC(℃/W):

    2.3

  • Pd(W):

    54

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
CET/華瑞
25+
TO-251
156537
明嘉莱只做原装正品现货
询价
VBsemi
23+
TO251
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
CET/華瑞
2022+
TO-251
50000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
VBsemi
21+
TO251
10010
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
VBsemi
24+
TO251
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
询价
SR
23+
TO-251
5000
原装正品,假一罚十
询价
CET/華瑞
23+
TO-251
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
CET
23+
TO-251
12800
公司只有原装 欢迎来电咨询。
询价
CET
2026+
TO-251
360
原装正品,假一罚十!
询价
PHI
24+
TSOP56
18766
公司现货库存,支持实单
询价
更多CED630供应商 更新时间2026-3-13 15:40:00