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CEU07N65SA	文件：536.62 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 650V,6.2A,RDS(ON)=0.65W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CJP07N65	文件：862.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJP07N65	文件：2.07573 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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