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CEB95P04	文件：406.33 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -40V, -93A, RDS(ON) =8.4mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =12mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：406.33 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB95P04	文件：300 bytes Page：1 Pages	P Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CED95P04	文件：870.14 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -40V, -77A, RDS(ON) =8.6mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =12mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：870.14 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP95P04	文件：406.33 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -40V, -93A, RDS(ON) =8.4mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =12mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：406.33 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEU95P04	文件：870.14 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ -40V, -77A, RDS(ON) =8.6mΩ @VGS = -10V. RDS(ON) =12mΩ @VGS = -4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：870.14 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

技术参数

BVDSS(V)：
-40/
Rds(on)mΩ@10V：
8.4/
Rds(on)mΩ@4.5V：
12/
ID(A)：
-93/
Qg(nC)@4.5V(typ)：
55/
RθJC(℃/W)：
1.3
Pd(W)：
96
Configuration：
Single
Polarity：
P

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB95P04	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多CEB95P04供应商更新时间2025-10-11 11:00:00

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