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CEP840B	文件：605.09 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEP840L	文件：401.97 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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CEU840A	文件：712.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 500V,7.5A,RDS(ON)=0.85W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU840B	文件：518.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 500V,7.5A,RDS(ON)=0.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU840G	文件：624.15 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 500V,7A,RDS(ON)=0.85W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CL840	文件：268.2 Kbytes Page：3 Pages	LEDarray	LUMINIS Lumins Inc.	LUMINIS
CL-840S	文件：394.13 Kbytes Page：1 Pages	Mono-ColorSide-LightingType	CITIZENCITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. 西铁城电子株式会社	CITIZEN

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技术参数

BVDSS(V)：
500
Rds(on)mΩ@10V：
850
ID(A)：
8.5
Qg(nC)@10V(typ)：
25
RθJC(℃/W)：
1
Pd(W)：
150
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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