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CEB6036L	文件：695.63 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,144A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED6036L	文件：587.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP6036	文件：427.23 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,135A,RDS(ON)=4.6mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6036	文件：1.10074 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP6036L	文件：695.63 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,144A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU6036L	文件：587.77 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,118A,RDS(ON)=4.0mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=5.5mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
D6036	文件：165.58 Kbytes Page：2 Pages	SIL2Switch/ProximityRelay-OutRepeater FEATURES SIL2/SC3 Highvoltage/currentratingrelayoutput Fieldopenandshortcircuitdetection In-fieldprogrammabilitybyDIPSwitch Threeportisolation,Input/Output/Supply HighDensity,twochannelsperunit	GMI G.M. International	GMI
D6036D	文件：165.58 Kbytes Page：2 Pages	SIL2Switch/ProximityRelay-OutRepeater FEATURES SIL2/SC3 Highvoltage/currentratingrelayoutput Fieldopenandshortcircuitdetection In-fieldprogrammabilitybyDIPSwitch Threeportisolation,Input/Output/Supply HighDensity,twochannelsperunit	GMI G.M. International	GMI
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EP6036	文件：90.1 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND

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