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|---|---|---|---|---|
CEB260N10S | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 256A, TO-263 RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. TO-220 RDS(ON) typ = 2.0mW @VGS = 10V Battery protection,UPS. Applications 文件：423.74 Kbytes 页数：5 Pages | CET-MOS 华瑞 | CET-MOS | |
CEB260N10S | N Channel MOSFET | CET 华瑞 | CET | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 256A, TO-263 RDS(ON) typ = 1.8mW @VGS = 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RoHS compliant. TO-220 RDS(ON) typ = 2.0mW @VGS = 10V Battery protection,UPS. Applications 文件：423.74 Kbytes 页数：5 Pages | CET-MOS 华瑞 | CET-MOS | ||
TO-263 | CET/华瑞 | CET/华瑞 | ||
WFBGA-84 | MICROCHIP/微芯 上传：深圳市明嘉莱科技有限公司 | MICROCHIP/微芯 |
技术参数
- BVDSS(V)：
100
- Rds(on)mΩ@10V：
2.2
- ID(A)：
256
- Qg(nC)@10V(typ)：
155
- RθJC(℃/W)：
0.53
- Pd(W)：
283
- Configuration：
Single
- Polarity：
N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
CET/華瑞 |
2511 |
TO-263 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
CUI |
22+ |
NA |
10064 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
HITACHI |
23+ |
DIP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
SR |
23+ |
T0-263 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
CET |
24+ |
TO-263 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
CET |
TO-263 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
CET |
25+ |
TO-263 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
CET |
2026+ |
TO-263 |
123 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
太友 |
24+ |
N/A |
18766 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 |
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