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CEB22N06	文件：376.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. 文件：376.53 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB22N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEP22N06	文件：376.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 21.8A, RDS(ON) = 50mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 60mW @VGS = 5V. 文件：376.53 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
NTB22N06	文件：200.17 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel Enhancement?묺ode Silicon Gate 文件：200.17 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB22N06L	文件：200.14 Kbytes Page：7 Pages	N?묬hannel Power MOSFET 文件：200.14 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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