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CEB21A2	文件：101.26 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■20V,25A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB21A2	文件：472.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED21A2	文件：1.27844 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,20A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED21A2	文件：152.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,20A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP21A2	文件：101.26 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,25A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP21A2	文件：472.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,25A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU21A2	文件：1.27844 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,20A,RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=70mW@VGS=2.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU21A2	文件：1.09268 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU21A2	文件：152.02 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,20A,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=70mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHM21A2PAPT	文件：200.38 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO

详细参数

型号：
CEB21A2
功能描述：
20V N Channel MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB21A2	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	CEB21A2	CET	24+	TO-263	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	CEB21A2	CET	24+	TO-263	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CEB21A2	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB21A2	CET/華瑞	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB21A2	CET/華瑞	2022+	TO-263	50000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB21A2	C	23+	T0-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEB21A2	CET/華瑞	01+	TO-263	1000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市金芯世纪电子有限公司	CEB21A2	CET/華瑞	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CEB21A2	CET/華瑞	24+	NA/	49600	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价

更多CEB21A2供应商更新时间2025-7-21 15:35:00

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