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CEB15M3	文件：484.68 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 188A, RDS(ON) = 2.1 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 3.2 mW @VGS = 4.5V. RoHS compliant. 文件：484.68 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB15M3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEP15M3	文件：484.68 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 188A, RDS(ON) = 2.1 mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. RDS(ON) = 3.2 mW @VGS = 4.5V. RoHS compliant. 文件：484.68 Kbytes 页数：5 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
KEPAN-15M3	文件：123.27 Kbytes Page：4 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：123.27 Kbytes 页数：4 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM
KEPAN-15M3/Q	文件：123.27 Kbytes Page：4 Pages	Plug-in Signal Conditioners K-UNIT 文件：123.27 Kbytes 页数：4 Pages	MSYSTEM 爱模	MSYSTEM

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