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CE3521M4-C2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
CE3521M4-C2 |
| 参数属性 | CE3521M4-C2 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET 4V 20GHZ SOT343 |
| 功能描述 | 20 GHz Low Noise FET in Dual Mold Plastic PKG |
| 封装外壳 | SC-82A,SOT-343 |
| 文件大小 |
762.75 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-19 23:01:00 |
| 人工找货 | CE3521M4-C2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
CE3521M4-C2规格书详情
CE3521M4-C2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的CE3521M4-C2晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
CE3521M4-C2
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
pHEMT FET
- 频率:
20GHz
- 增益:
11.9dB
- 额定电流(安培):
15mA
- 噪声系数:
1.05dB
- 功率 - 输出:
125mW
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
4 个超微型模具
- 描述:
RF FET 4V 20GHZ SOT343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CE |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
CE |
25+ |
SOT23 |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
CE |
20+ |
SOT23 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
PANASONIC/松下 |
23+ |
NA |
880000 |
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询价 | ||
SCE |
24+ |
SOT23-3 |
36265 |
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询价 | ||
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2450+ |
SOT-23 |
8850 |
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询价 | ||
MTS |
24+ |
273 |
询价 | ||||
ENE |
24+ |
BGA |
9918 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
MITSUBISHI |
新 |
3800 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
CET |
24+ |
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询价 |

