CE3514M4分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CE3514M4 |
| 参数属性 | CE3514M4 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：RF FET 4V 12GHZ SOT343 |
| 功能描述 | 12GHz Low Noise FET in Dual Mold Plastic PKG |
| 文件大小 |
746.77 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-24 18:25:00 |
CE3514M4规格书详情
CE3514M4属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的CE3514M4晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
CE3514M4
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
pHEMT FET
- 频率：
12GHz
- 增益：
12.2dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.62dB
- 功率 - 输出：
125mW
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
4 个超微型模具
- 描述：
RF FET 4V 12GHZ SOT343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
California Eastern Laboratorie |
23+ |
6000 |
诚信服务，绝对原装原盘 |
询价 | |||
CEL |
22+ |
pHEMT |
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CEL |
23+ |
NA |
10000 |
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CEL |
22+ |
NA |
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CEL |
22+ |
4Super Mini Mold |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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CEL射频结栅场效应晶体管 VJ0805 |
24+ |
VJ0805Q2R7CXBAC2L |
68900 |
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CEL |
2022+ |
NA |
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CALIFORNIAEASTERNLABORATORIE |
2021+ |
SMD |
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CEL |
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CEL |
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