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CE3520K3-C1分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CE3520K3-C1 |
| 参数属性 | CE3520K3-C1 封装/外壳为4-Micro-X；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：RF FET 4V 20GHZ 4MICROX |
| 功能描述 | 20 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG |
| 封装外壳 | 4-Micro-X |
| 文件大小 |
748.77 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-23 23:16:00 |
| 人工找货 | CE3520K3-C1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CE3520K3-C1规格书详情
CE3520K3-C1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的CE3520K3-C1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
CE3520K3-C1
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
pHEMT FET
- 频率：
20GHz
- 增益：
13.8dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.8dB
- 功率 - 输出：
125mW
- 封装/外壳：
4-Micro-X
- 供应商器件封装：
4-Micro-X
- 描述：
RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ENE |
24+ |
BGA |
9918 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
CE |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
CE |
25+ |
SOT23 |
3000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
CE |
20+ |
SOT23 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
SCE |
24+ |
SOT23-3 |
36265 |
专业代理复位IC公司优势产品 |
询价 | ||
CEL |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
PANASONIC/松下 |
23+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
CEL |
22+ |
4Super Mini Mold |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
MTS |
24+ |
273 |
询价 | ||||
CEL |
25+ |
4-Micro-X |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 |
