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CE3514M4-C2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

CE3514M4-C2

参数属性

CE3514M4-C2 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF MOSFET PHEMT FET 2V

功能描述

12GHz Low Noise FET in Dual Mold Plastic PKG
RF MOSFET PHEMT FET 2V

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

746.77 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-10-13 15:10:00

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CE3514M4-C2规格书详情

CE3514M4-C2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的CE3514M4-C2晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CE3514M4-C2

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    pHEMT FET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    12.2dB

  • 额定电流(安培):

    68mA

  • 噪声系数:

    0.62dB

  • 功率 - 输出:

    125mW

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    4 个超微型模具

  • 描述:

    RF MOSFET PHEMT FET 2V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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