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IRLML6402	文件：81.91 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML6402	文件：2.22079 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRLML6402	文件：249.57 Kbytes Page：12 Pages	bq2026EvaluationSoftware	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IRLML6402	文件：442.33 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMosfets	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
IRLML6402	文件：1.89655 Mbytes Page：5 Pages	-20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyIRLML6402 GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
IRLML6402	文件：3.71404 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●Ultralowon-resistance. ●P-ChannelMOSFET. ●SOT-23Footprint. ●Lowprofile(	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRLML6402	文件：1.96158 Mbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET Features Ultralowon-resistance. P-ChannelMOSFET. SOT-23Footprint. Lowprofile(	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRLML6402GPBF	文件：184.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLML6402GTRPBF	文件：188 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRLML6402GTRPBF	文件：1.08254 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
CDP6402D
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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