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LT5537	文件：1.55396 Mbytes Page：18 Pages	40MHzto10GHzRMSPowerDetectorwith57dBDynamicRange FEATURES nFrequencyRange:40MHzto10GHz nLinearDynamicRange:Upto57dB nAccurateRMSPowerMeasurementofHighCrest FactorModulatedWaveforms nExceptionalAccuracyOverTemperature:±0.5dB(Typ) nLowLinearityErrorwithinDynamicRange nSingle-EndedorDifferentialRFInputs	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT5537	文件：307.42 Kbytes Page：16 Pages	WideDynamicRangeRF/IFLogDetector	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT5537	文件：307.33 Kbytes Page：16 Pages	800MHzto2.7GHzHighLinearityDirectConversionQuadratureDemodulator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT5537EDDB	文件：307.42 Kbytes Page：16 Pages	WideDynamicRangeRF/IFLogDetector	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LX5537	文件：112.72 Kbytes Page：2 Pages	InGaPHBT2.3-2.7GHzPowerAmplifier DESCRIPTION TheLX5537isapoweramplifieroptimizedfor802.16e(WiMAX/WiBro)and802.11b/g/napplicationsinthe2.3-2.7GHzfrequencyrange.ThePAisimplementedasathree-stagemonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)withactivebias,on-chipinputmatchingandoutputpre-matching.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5537LQ	文件：112.72 Kbytes Page：2 Pages	InGaPHBT2.3-2.7GHzPowerAmplifier DESCRIPTION TheLX5537isapoweramplifieroptimizedfor802.16e(WiMAX/WiBro)and802.11b/g/napplicationsinthe2.3-2.7GHzfrequencyrange.ThePAisimplementedasathree-stagemonolithicmicrowaveintegratedcircuit(MMIC)withactivebias,on-chipinputmatchingandoutputpre-matching.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MLL5537B	文件：333.31 Kbytes Page：3 Pages	LowVoltageSurfaceMount500mWAvalancheDiodes •1N5518BUR-1THRU1N5546BUR-1AVAILABLEINJAN,JANTXANDJANTXVPERMIL-PRF-19500/437 •ZENERDIODE,500mW •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWREVERSELEAKAGECHARACTERISTICS •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NE5537	文件：103.95 Kbytes Page：8 Pages	Sample-and-holdamplifier DESCRIPTION TheNE5537monolithicsample-and-holdamplifiercombinesthebestfeaturesofion-implantedJFETswithbipolardevicestoobtainhighaccuracy,fastacquisitiontime,andlowdrooprate.Thisdeviceispin-compatiblewiththeLF198,andfeaturessuperiorperformanceindroopratean	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5537D	文件：103.95 Kbytes Page：8 Pages	Sample-and-holdamplifier DESCRIPTION TheNE5537monolithicsample-and-holdamplifiercombinesthebestfeaturesofion-implantedJFETswithbipolardevicestoobtainhighaccuracy,fastacquisitiontime,andlowdrooprate.Thisdeviceispin-compatiblewiththeLF198,andfeaturessuperiorperformanceindroopratean	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NE5537N	文件：103.95 Kbytes Page：8 Pages	Sample-and-holdamplifier DESCRIPTION TheNE5537monolithicsample-and-holdamplifiercombinesthebestfeaturesofion-implantedJFETswithbipolardevicestoobtainhighaccuracy,fastacquisitiontime,andlowdrooprate.Thisdeviceispin-compatiblewiththeLF198,andfeaturessuperiorperformanceindroopratean	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
CDLL5537F
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
ZENER DIODE, 500mW

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