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HN1A02F

SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications Switchingapplications ●HighhFE:hFE(1)=120to400 ●LowVCE(sat.):VCE(sat)=−0.2V(max)(IC=−400mA,IB=−8mA) ●SmallPowerMotorDriverApplication.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

HRS1A02GA

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02GSMT

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02GSMT-A

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02GSMT-B

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02SGA

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

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HRS1A02SGSMT

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02SGSMT-A

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02SGSMT-B

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

HRS1A02TA

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ADAM-TECHAdam Technologies, Inc.

亚当科技亚当科技股份有限公司

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