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ENP-360	文件：97.9 Kbytes Page：4 Pages	360WLevelVIDesktopTypePowerSupply	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司	MEANWELL
EVAL-ADuCM360QSPZ	文件：525.74 Kbytes Page：24 Pages	LowPower,PrecisionAnalogMicrocontrollerwithDualSigma-DeltaADCs,ARMCortex-M3	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
F-360U	文件：48.01 Kbytes Page：1 Pages	ChassisMount:Universal	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FCN360	文件：1.69397 Mbytes Page：33 Pages	RECTANGULARCONNECTORS	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
FDN360	文件：231.67 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN360	文件：376.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelMOSFET Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN360P	文件：231.67 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN360P	文件：259.11 Kbytes Page：7 Pages	SingleP-Channel,PowerTrenchMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDN360P	文件：376.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelMOSFET Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN360P	文件：618.69 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5V(D-S)MOSFET GeneralDescription Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicationswherelowin-linepower lossandfastswitchingarerequired. Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). Highpowerversionofi	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI

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产品属性

产品编号：
CDBB360-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AA，SMB
供应商器件封装：
DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结：
-50°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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