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PCDB0465G1	文件：1.89653 Mbytes Page：5 Pages	Marking：CDB0465G1；Package：TO-263；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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PCDB0465G1

文件：1.89653 Mbytes

Page：5 Pages

Marking：CDB0465G1；Package：TO-263；Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features TemperatureIndependentSwitchingBehavior HighSurgeCurrentCapability PositiveTemperatureCoefficientonVF LowConductionLoss ZeroReverseRecovery Highjunctiontemperature175oC LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC612

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

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更多CDB0465G1供应商更新时间2025-5-25 8:31:00

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