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LowVcesatNPNEpitaxialPlanarTransistor Description ThedeviceismanufacturedinNPNplanartechnologybyusinga“BaseIsland”layout.Theresultingtransistorshowsexceptionalhighgainperformancecoupledwithverylowsaturationvoltage. Features •Verylowcollector-to-emittersaturationvoltage •Fastswitchingspeed •High | CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司 | CYSTEKEC |
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