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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=13.8mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Surfacemountpackage. | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司 | CET | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司 | CHENMKO | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司 | CHENMKO | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | ZPSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
Plastic-EncapsulateMOSFETS | ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品 | ZPSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
N-CHANNEL30VMOSFET *LowQg *Lowon-resistance *Excellentresistancetodamagefromstaticelectricity | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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