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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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CMOSANDGates | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
CMOSANDGates | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
CMOSANDGATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
CMOSANDGATES | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
CMOSANDGates | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
CMOSANDGates | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -40V,-13.6A,RDS(ON)=8.4mW@VGS=-10V. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
RadHardenedhighvoltagecomplementaryMOSlogicseries | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
ANDGATES DESCRIPTION TheHCC4073B,HCC4081BandHCC4082B(extendedtemperaturerange)andtheHCF4073B,HCF4081BandHCF4082B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuitsavail-ablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. 4073BTRIPLE3–INPUTANDGAT | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | ||
Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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