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CD4073BPW	文件：1.42989 Mbytes Page：29 Pages	CMOSANDGates	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CD4073BPW	文件：1.44156 Mbytes Page：31 Pages	CMOSANDGates	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CD4073BPWR	文件：1.44156 Mbytes Page：31 Pages	CMOSANDGates	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CD4073BPWR	文件：530.84 Kbytes Page：12 Pages	CMOSANDGATES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CD4073BPWR	文件：1.42989 Mbytes Page：29 Pages	CMOSANDGates	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
CEM4073	文件：491.07 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -40V,-13.6A,RDS(ON)=8.4mW@VGS=-10V. RDS(ON)=12mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
HCC4073B	文件：141.35 Kbytes Page：13 Pages	RadHardenedhighvoltagecomplementaryMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4073B	文件：271.6 Kbytes Page：10 Pages	ANDGATES DESCRIPTION TheHCC4073B,HCC4081BandHCC4082B(extendedtemperaturerange)andtheHCF4073B,HCF4081BandHCF4082B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuitsavail-ablein14-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage. 4073BTRIPLE3–INPUTANDGAT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4073B	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4073BD	文件：303.47 Kbytes Page：24 Pages	Rad-hardhighvoltageCMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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