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2312	文件：16.47 Kbytes Page：1 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.	KR
2312	文件：81.15 Kbytes Page：1 Pages	Pneumaticmuffler	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司	FESTO
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2312T	文件：761.47 Kbytes Page：2 Pages	PhotoelectronicSmokedetectorwithElectronicHeatSensing	SYSTEMSENSORSystemsensor advanced ideas. Systemsensor advanced ideas.	SYSTEMSENSOR
AM2312	文件：464.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET20VN-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION TheAM2312isavailableinSOT-23Spackage. FEATURES VDS=20V RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@5.0A=41mΩ RDS(ON),VGS@2.5V,IDS@4.5A=47mΩ Advancedtrenchprocesstechnology HighDensityCellDesignForUltraLowOn-Resistance Capableof2.5Vgatedrive Loweron-resistanc	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM2312N	文件：317.05 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AP2312GN	文件：68.94 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
APM2312	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2312A	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2312AC-TR	文件：151.79 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •16V/5A,RDS(ON)=35mΩ(typ.)@VGS=4.5V RDS(ON)=45mΩ(typ.)@VGS=2.5V RDS(ON)=60mΩ(typ.)@VGS=1.8V •SuperHighDenseCellDesignforExtremelyLowRDS(ON) •ReliableandRugged •SOT-23Package Applications •PowerManagementinNotebookComput	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
BC2312	文件：600.09 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION DC/DCConverters LoadSwitchingforPortableApplications	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
BLM2312	文件：520.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海贝岭上海贝岭股份有限公司	Belling
CES2312	文件：281.47 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,4.5A,RDS(ON)=33mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=40mΩ@VGS=2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CES2312	文件：1.88321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CHT2312PT	文件：284.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CJ2312	文件：873.34 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI

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更多CD2312供应商更新时间2024-4-29 10:50:00

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