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CP221

SmallSignalTransistor

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALBASE DieSize39.5X39.5MILS DieThickness9.8MILS BaseBondingPadArea3.9x5.1MILS EmitterBondingPadArea7.9x3.9MILS TopSideMetalizationAl-24,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

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更多CD221NCP供应商 更新时间2025-7-28 16:30:00