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MBR1645	文件：174.57 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER FEATURES ●150°CTJoperation ●Lowforwardvoltagedrop ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Highfrequencyoperation ●Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability APPLICATIONS ●Switchingmodepower	SENSITRON SENSITRON SEMICONDUCTOR	SENSITRON
MBR1645	文件：352.63 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-35to60V ForwardCurrent-16A Features •Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction •Guardringforovervoltageprotection •Highcurrentcapability •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverte	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MBR1645	文件：247.26 Kbytes Page：2 Pages	16.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1645	文件：100.95 Kbytes Page：3 Pages	16AmpSchottkyBarrierRectifier20to60Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR1645	文件：653.02 Kbytes Page：2 Pages	16.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR1645	文件：65.459 Kbytes Page：2 Pages	16ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR1645	文件：107.1 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers16A,35and45V SWITCHMODE™PowerRectifiers16A,35and45V Thesestate−of−the−artdevicesusetheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal. Features •Guard−ringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTemperature •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR1645	文件：584.66 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100VoltsForwardCurrent-16.0Amperes FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Lowreverseleakage ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightem	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
MBR1645	文件：489.75 Kbytes Page：2 Pages	Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton Features ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR1645	文件：734.96 Kbytes Page：2 Pages	16.0AmpereHeatsinkTypeSingleSchottkyBarrierRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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