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D222RP	文件：91.26 Kbytes Page：2 Pages	ShortCircuitProtectedRegulated,2WSIPDC/DCConverters [MPD] KeyFeatures: ●2WOutputPower ●ShortCircuitProtection ●TightLine/LoadRegulation ●1,000VDCIsolation ●MiniatureSIPCase ●>1.5MHourMTBF ●15StandardModels	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D222RPI	文件：59.32 Kbytes Page：2 Pages	2W,HighIsolation,SIPRegulated,ShortCircuitProtectedDC/DCConverters [MPD] KeyFeatures ■MiniatureSIPPackage ■2.0WOutputPower ■ShortCircuitProtected ■HighIsolation ■1.5MHMTBF ■LowCost	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D222RW	文件：70.49 Kbytes Page：2 Pages	MiniatureSIP,2WWideInputRangeDC/DCConverters [MicroPowerDirect] KeyFeatures: •2WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,000VDCIsolation •ShortCircuitProtected •MiniatureSIPCase •Single&DualOutputs •2.7MHMTBF •IndustryStandardPin-Out	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D222RW	文件：198.44 Kbytes Page：2 Pages	MiniatureSIP,2WWideInputRangeDC/DCConverters MiniatureSIP,2WWideInputRangeDC/DCConverters KeyFeatures: •2WOutputPower •2:1InputVoltageRange •1,000VDCIsolation •ShortCircuitProtected •MiniatureSIPCase •Single&DualOutputs •2.7MHMTBF •IndustryStandardPin-Out	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
DAN222	文件：92.84 Kbytes Page：8 Pages	COMMONCATHODESILICONDUALSWITCHINGDIODE ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT−416/SC−90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •LowCD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222	文件：90.16 Kbytes Page：6 Pages	SOT-416/SC-90PACKAGECOMMONCATHODEDUALSWITCHINGDIODESURFACEMOUNT CommonCathodeDualSwitchingDiodeSurfaceMount ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT–416/SC–90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspac	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
DAN222	文件：63.89 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahighspeedswitching Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highspeed.(trr=1.5nsTyp.) 3)Suitableforhighpackingdensitylayout. 4)Highreliability. Application Ultrahighspeedswitching	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DAN222	文件：185.41 Kbytes Page：3 Pages	Switchingdiode Features 1)Fourtypesofpackagingareavailable. 2)Highreliability. 3)Highspeed.(Typicalrecoverytime=1.5ns) 4)Suitableforhighpackingdensitylayout. Applications Ultrahighspeedswitching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
DAN222	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
DAN222	文件：56.51 Kbytes Page：1 Pages	SWITCHINGDIODE SWITCHINGDIODE FEATURES: Powerdissipation PD:150mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:100mA Collector-basevoltage VR:80V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

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详细参数

型号：
CCR222MKP
制造商：
TOKEN
制造商全称：
Token Electronics Industry Co., Ltd.
功能描述：
CCR Carbon Composition Resistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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