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CC1310DK	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：BUNDLE SMARTRF06EBK/CC1310EMK	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CC1310DK	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：SIMPLELINK ULTRA-LOW-POWER SUB	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CCM1310	文件：182.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerEntryModules	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CCM1310-ND	文件：182.19 Kbytes Page：2 Pages	PowerEntryModules	MACOM Tyco Electronics	MACOM
CDCLVC1310	文件：1.25985 Mbytes Page：28 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVC1310RHBR	文件：1.46932 Mbytes Page：30 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBufferandLevelTranslator	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVC1310RHBR	文件：1.25985 Mbytes Page：28 Pages	Ten-OutputLow-JitterLow-PowerClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CEB1310S	文件：930.29 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,85A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB1310SL	文件：499.33 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,88A,RDS(ON)=7.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED1310S	文件：440.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,74A,RDS(ON)=8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

产品属性

产品编号：
CC1310DK
制造商：
Texas Instruments
类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
系列：
SimpleLink™
包装：
散装
类型：
收发器
配套使用/相关产品：
CC1310
所含物品：
板
描述：
BUNDLE SMARTRF06EBK/CC1310EMK

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