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CBSB-14-01	文件：776.65 Kbytes Page：24 Pages	14-Bit, 80 MSPS/105 MSPS A/D Converter GENERALDESCRIPTION TheAD6645isahighspeed,highperformance,monolithic14-bitanalog-to-digitalconverter(ADC).Allnecessaryfunctions,includingtrack-and-hold(T/H)andreference,areincludedonthechiptoprovideacompleteconversionsolution.TheAD6645providesCMOS-compatibledig	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
CBSL1	文件：18.68 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL1isDesignedforUHFClassAAmplifierApplicationsinCellularBaseStationEquipment. FEATURES: •Pg=10dBmin.@960MHz •P1dB=1.0Wattsmin.at960MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL100	文件：17.64 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL100isDesignedforClassAB,CellularBaseStationApplicationsupto960MHz. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetwork •PG=9.0dBat100W/960MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL15	文件：18.09 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL15isDesignedforClassAB,CellularBaseStationApplicationsupto960MHz. FEATURES: •InternalInputMatchingNetwork •PG=8.0dBat15W/960MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL150	文件：18.31 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL150isDesignedfor900MHzClassABCellularBaseStationAmplifiers. FEATURES: •InternalInput/OutputMatching •PG=9.0dBTyp.at150W/900MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL1SL	文件：15.98 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL1SLisDesignedforClassA,CellularBaseStaionApplicationsupto960MHz. FEATURES: •ClassAOperation •PG=10dBat1.0W/960MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL30	文件：20.25 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL30isagoldmetalizedepitaxialsiliconNPNtransistor,usingdiffusedballastresistorsforhighlinearityCalss-ABoperationforcellularbasestationapplication. FEATURES: •InternalInputMatchingNetwork •PG=7.5dBat30W/960MHz •Omnigold™MetalizationSys	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL30B	文件：17.84 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL30BisDesignedforClassAB,CellularBaseStationApplicationsupto960MHz. FEATURES: •InternalInputMatchingNetwork •PG=7.5dBat30W/960MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL6	文件：18.36 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL6isagoldmetalizedepitaxialsiliconNPNtransistor,designedforhighlinearityClass-ABcellularbasestationapplications.ItalsooperatesinClass-C. FEATURES: •InternalInputMatchingNetwork •850-960MHz •PG=10dBat6.0W/960MHz •Omnigold™Metalizati	ASI Advanced Semiconductor	ASI
CBSL60B	文件：17.49 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASICBSL60BisDesignedforClassAB,CellularBaseStationApplicationsupto960MHz. FEATURES: •InternalInput/OutputMatchingNetworks •PG=8.5dBat60W/960MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI

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详细参数

型号：
CBS
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	CBSTMMM44MSPEC	RICHO	24+/25+		8000	原装正品现货库存价优	询价
深圳市恒创达实业有限公司	CBS05F30	TOSHIBA	17+	CST2B	6200	100%原装正品现货	询价
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