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FDN358P

P−CHANNELMOSFET

Features •Lowgatecharge(4nCtypical) •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON). •HighpowerversionofindustryStandardSOT-23 package.Identicalpin-outtoSOT-23with30 higherpowerhandlingcapability. •VDS(V)=-30V •ID=-1.5A •RDS(ON)90m(VGS=-

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊欧翊欧半导体

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FLM358DUALOPERATIONALAMPLIFIERANDVOLTAGEREFERENCE

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更多CBMV358S供应商 更新时间2025-7-24 11:01:00