CABLE ASSEMBLY

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GRADCONN

CAB4A - DDR4 Register 32-Bit 1:2 Command/Address/Control Buffer and 1:4 Differential Clock Buffer

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德州仪器

CAB4A - DDR4 Register 32-Bit 1:2 Command/Address/Control Buffer and 1:4 Differential Clock Buffer

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XM3 Half-Bridge Power Module Family

High Temperature (175 °C) OperationLow Inductance (6.7 nH) DesignUtilizes Latest 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETSIntegrated Temperature Sensor and Kelvin-Drain ConnectionSilicon Nitride Ceramic Substrate and Copper Baseplate • High Temperature (175 °C) Operation\n• Low Inductance (6.7 nH) Design\n• Utilizes Latest 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETS\n• Integrated Temperature Sensor and Kelvin-Drain Connection\n• Silicon Nitride Ceramic Substrate and Copper Baseplate;

Wolfspeed(CREE)

XM3 Half-Bridge Power Module Family

High Temperature (175 °C) OperationLow Inductance (6.7 nH) DesignUtilizes Latest 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETSIntegrated Temperature Sensor and Kelvin-Drain ConnectionSilicon Nitride Ceramic Substrate and Copper Baseplate • High Temperature (175 °C) Operation\n• Low Inductance (6.7 nH) Design\n• Utilizes Latest 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETS\n• Integrated Temperature Sensor and Kelvin-Drain Connection\n• Silicon Nitride Ceramic Substrate and Copper Baseplate;

Wolfspeed(CREE)

可用于高达 DDR4-2400 的 RDIMM 和 LRDIMM 操作的符合 JEDEC 标准的 DDR4RCD01 DDR4 寄存器

CAB4 是一款 32 位 1:2 命令/地址/控制缓冲器和 1:4 差分时钟缓冲器，它被设计用于以 1.2V VDD 模式在 DDR4 带寄存器的 DIMM 上的运行。 所有输入是使用外部或内部电压基准的伪差分输入。 所有输出是满摆幅 CMOS 驱动器，此驱动器针对驱动 DDR4 RDIMM，LRDIMM 和 3D 堆叠 DIMM 应用中的 15Ω 至 50Ω 有效端接迹线而进行了优化。 时钟输出、命令/地址输出、控制输出、数据缓冲控制输出可成组启用，并且可采用单独的驱动强度，以补偿不同的 DIMM 网状拓扑结构。 DDR4 寄存器以不同的时钟频率运行（CK_t 和 CK_c）。 输入在 C • 符合 DDR4RCD01 JEDEC 标准\n• 32 位 1 至 2 寄存器输出 \n• 1.2V 运行\n• 可配置驱动器强度\n• 可编程延迟\n• 地址映射和倒置\n• 片载可编程 VREF 生成\n• I2C 接口支持\n• 多达 4 个用于支持 RDIMM 和 LRDIMM 的物理模组;

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Package：253-LFBGA；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 应用特定时钟/定时 描述：IC DDR4 REGISTER CAB4A 253BGA

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