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CEF830G	文件：402.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEF830G	文件：648.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM830	文件：210.03 Kbytes Page：1 Pages	8USB2.0ports	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾讯科技艾讯股份有限公司	AXIOMTEK
CEP830G	文件：402.2 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP830G	文件：648.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU830A	文件：364.89 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 500V,4.1A,RDS(ON)=1.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU830G	文件：397.5 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■500V,4.5A,RDS(ON)=1.5Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU830G	文件：1.45691 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU830G	文件：557.38 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 500V,4.5A,RDS(ON)=1.5W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHMP830JGP-A	文件：1.00484 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
C830
制造商：
TE Connectivity
功能描述：
HTTMS-3/8-1.75-9-CS0013 - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	C830	NEC	24+	TO-66	1633		询价
深圳市富诚威科技有限公司	C8300		24+	SOP	5000	绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电!	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	C8308	COEV	24+	SOP10P	6980	原装现货,可开13%税票	询价
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标准国际(香港)有限公司	C8308	C8308		99	99		询价

更多C830供应商更新时间2025-7-21 16:30:00

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