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FDB603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP603AL	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FG603	文件：198.82 Kbytes Page：2 Pages	6.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERSLOWCOSTLOWLEAKAGE	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FGM603	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	SelectionGuide SANKENIGBT FGT313,FGT312,FGT412,FGT612,FGM622S,FGM603,FGM623S,MGD623N,MGD623S	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
FR603	文件：196.65 Kbytes Page：3 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIER ReverseVoltage-50to1000Volts ForwardCurrent-6.0Amperes Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ●Fastswitchingforhighefficiency ●Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ●6.0ampereoperationatTA=75withn	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
FR603	文件：33.37 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS Features •Axialleadtypedevicesforthroughholedesign. •Highcurrentcapability. •Fastswitchingforhighefficiency. •Highsurgecapability. •Siliconrubbercoatingchipjunction. •Lead-freepartsmeetRoHSrequirments. •Suffix-HindicatesHalogen-freeparts,ex.FR601-H.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FR603	文件：152.53 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPFASTRECOVERYRECTIFIERS VOLTAGERANGE50TO1000VoltsCURRENT6.0Amperes FEATURES Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highreliability Highsurgecurrentcapability	BYTES Bytes	BYTES

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详细参数

型号：
C603D
制造商：
JOHANSON
制造商全称：
Johanson Technology Inc.
功能描述：
RF Ceramic Component Proto-Typing Kits

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多C603D供应商更新时间2025-7-26 10:00:00

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