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FDD6035	文件：119.89 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ·46A,30VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6035AL	文件：119.89 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheonstateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features ·46A,30VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6035AL	文件：1.02 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDD6035AL	文件：352.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=46A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD6035AL	文件：2.11257 Mbytes Page：5 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=30V,ID=80A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDP6035AL	文件：93.09 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithcomp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6035AL	文件：333.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=12mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6035L	文件：413.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6035L	文件：333.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQ6035	文件：180.9 Kbytes Page：2 Pages	AllQuartzSMDCrystal	FOX Fox Electronics	FOX

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