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C5750X7S2A106M230KB

RF Power LDMOS Transistor

文件:255.19 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

恩XP

C5750X7S2A106M230KB

RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件:221.53 Kbytes 页数:10 Pages

恩XP

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C5750X7S2A106M230KB

RF Power GaN Transistor

文件:188.97 Kbytes 页数:9 Pages

恩XP

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RF Power GaN Transistor

文件:185.05 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

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RF Power GaN Transistor

文件:294.88 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

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RF Power GaN Transistor

文件:344.75 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

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RF Power LDMOS Transistor

文件:831.07 Kbytes 页数:16 Pages

恩XP

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RF Power LDMOS Transistor

文件:319.44 Kbytes 页数:8 Pages

恩XP

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RF Power LDMOS Transistor

文件:389.33 Kbytes 页数:16 Pages

恩XP

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C5750X7S2A106M230KB_17

Multilayer Ceramic Chip Capacitors

文件:237.62 Kbytes 页数:3 Pages

TDK

东电化

产品属性

  • 产品编号:

    C5750X7S2A106M230KB

  • 制造商:

    TDK Corporation

  • 类别:

    电容器 > 陶瓷电容器

  • 系列:

    C

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 容差:

    ±20%

  • 电压 - 额定:

    100V

  • 温度系数:

    X7S

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装,MLCC

  • 封装/外壳:

    2220(5750 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.224" 长 x 0.197" 宽(5.70mm x 5.00mm)

  • 厚度(最大值):

    0.098"(2.50mm)

  • 描述:

    CAP CER 10UF 100V X7S 2220

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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