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C4532X7R1H475K	文件：491.07 Kbytes Page：15 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor 1 General description This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for ap 文件：491.07 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
C4532X7R1H475K200KB	文件：138.84 Kbytes Page：1 Pages	Multilayer Ceramic Chip Capacitors 文件：138.84 Kbytes 页数：1 Pages	TDK 东电化	TDK
C4532X7R1H475K200KB_17	文件：235.53 Kbytes Page：3 Pages	Multilayer Ceramic Chip Capacitors 文件：235.53 Kbytes 页数：3 Pages	TDK 东电化	TDK
C4532X7R1H475KT	文件：1.71871 Mbytes Page：27 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：1.71871 Mbytes 页数：27 Pages	恩XP	恩XP
C4532X7R1H475K200KB	文件：300 bytes Page：1 Pages	积层贴片陶瓷片式电容器	TDK 东电化	TDK
C4532X7R1H475KT000N	文件：300 bytes Page：1 Pages	贴片电容(MLCC)	TDK 东电化	TDK
C4532X7R1H475K200KB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：1812（4532 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 4.7UF 50V X7R 1812	TDK 东电化	TDK
C4532X7R1H475K200KB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：1812（4532 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 4.7UF 50V X7R 1812	TDK 东电化	TDK

技术参数

额定电压：
50VDC
温度特性?：
X7R(±15%)
耗散因数 (Max.)：
5%
绝缘电阻 (Min.)：
106MΩ

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更多C4532X7R1H475K供应商更新时间2026-10-2 22:59:00

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