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4064B	文件：2.44862 Mbytes Page：6 Pages	DualChannelFunction/ArbitraryWaveformGenerators	BKB&K Precision Corporation B & k B & k 精密机械有限公司	BK
4064C	文件：288.98 Kbytes Page：10 Pages	DUALJ-FETINPUTLOW-POWEROPERATIONALAMPLIFIER??? SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
AC4064	文件：185 Kbytes Page：2 Pages	800TO4000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
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B4064	文件：121.35 Kbytes Page：4 Pages	BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse Electronics	pulse
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C4064	文件：243.83 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ··WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SA1567 ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·ForDCmotordriverandgeneralpurpose	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
C4064A	文件：60.2 Kbytes Page：1 Pages	5C22AWG(7/30)TCPVC,PVCCOMMUNICATION&CONTROLCABLE	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
C4064G	文件：504.89 Kbytes Page：8 Pages	LowNoiseJ-FETInputQuadOperationalAmplifier FEATURES InputOffsetVoltage±2mV(TYP.) InputBiasCurrent30pA(TYP.) SlewRate13V/μs(TYP.) UnityGainFrequency3MHz(TYP.) InputReferredNoiseVoltageDensity17nV/Hz(TYP.)(f=1kHz) Built-InPhaseCompensationCircuit Built-InOutputShortCircuitProtection	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
EMS4064	文件：314.55 Kbytes Page：9 Pages	MACHINEPINSOCKET	ECE 百容	ECE
FKBA4064	文件：505.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch40VFastSwitchingMOSFETs Features ⚫AdvancedTrenchMOSTechnology ⚫LowRDS(ON) ⚫100EASGuaranteed ⚫GreenDeviceAvailable Applications ⚫SMPSSynchronousRectification ⚫DC/DCConverters ⚫Or-ing	FETEKFETek Technology Corp. 台灣東沅公司東沅科技股份有限公司	FETEK
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HM4064	文件：1.21128 Mbytes Page：11 Pages	5Afour-celllithiumbatterychargemanagementintegratedcircuit	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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IRGB4064DPBF	文件：370.81 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODEINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)TrenchIGBTTechnology •LowSwitchingLosses •MaximumJunctiontemperature175°C •5µsSCSOA •SquareRBSOA •100ofThePartsTestedforILM •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •UltraFastSoftRecoveryCo-pakDiode •TighterDistributionofParameter	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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更多C4064GIC供应商更新时间2024-6-16 11:00:00

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