大面积UV增强型APD

功能与优点：\n\n增强紫外响应的Si APD\n\n在430 nm处高于70%的量子效率\n\n扁平陶瓷包装 - 轻松耦合到闪烁晶体\n\n非磁性封装\n\n应用领域：\n\n分子成像\n\n核医学\n\n荧光检测\n\n高能物理\n\n安全辐射探测\n\n环境监测 • 感光面积：5.6x5.6 mm\n\n• 击穿电压：400, <450 V\n\n• 电容：60 pF\n\n• 暗电流：1.5 nA\n\n• 增益：>100\n\n• 噪声电流：\n\n• 响应时间：2 ns\n\n• 响应度：在430 nm处，C30739ECERH为26 A/W，C30739ECERH-2为52 A/W，典型增益\n\n• 上升/下降时间：2 ns\n\n• 光谱噪声电流：C30739ECERH为0.3 pA/√Hz，C30739ECERH-2为0.4 pA/√Hz\n\n• 波长：400-700nm;

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埃赛力达

Package：2-DIP；包装：带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SI APD SHORT WAVELENGTH ENHANCED

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