Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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PERKINELMER

高性能Si APD

用于弱光探测​​​​​​​的低噪声穿透式APD\n\nC30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构。这种结构在400 nm和1000 nm之间提供高响应性，以及在所有波长下的极快上升和下降时间。该器件的响应性在800 MHz以下时通常与调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。光敏表面的有效直径为0.5 mm。\n\nC30902 APD系列还具有单光子能力的APD（SPAD），可在盖革模式和线性模式下大幅提高增益。请参阅我们的C30902SH数据表以了解更多信息。\n\n功能与优点：\n\n采用TO-18外壳的0.5 mm Si APD\n\n高 • 感光面积：0.2 mm²\n\n• 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n\n• 结电容：1.5 pF\n\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n\n• 暗电流：7 nA\n\n• 暗噪声：0.1 pA/√Hz\n\n• 等效噪声功率：1.23 fW/√Hz\n\n• 典型响应度：800 nm下为80 A/W\n\n• 推荐增益：150\n\n• 封装：TO-18，平面窗口;

Excelitas

埃赛力达

高性能Si APD

用于弱光探测​​​​​​​的低噪声穿透式APD\n\nC30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构。这种结构在400 nm和1000 nm之间提供高响应性，以及在所有波长下的极快上升和下降时间。该器件的响应性在800 MHz以下时通常与调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装，密封在平玻璃窗后面。光敏表面的有效直径为0.5 mm。\n\nC30902 APD系列还具有单光子能力的APD（SPAD），可在盖革模式和线性模式下大幅提高增益。请参阅我们的C30902SH数据表以了解更多信息。\n\n功能与优点：\n\n采用TO-18外壳的0.5 mm Si APD\n\n高 • 感光面积：0.2 mm²\n• 感光直径：0.5 mm\n• 击穿电压：225 V（典型值）\n• 结电容：1.5 pF\n• 温度系数：0.7 V/°C（典型值）\n• 暗电流：7 nA\n• 暗噪声：0.1 pA/√Hz\n• 等效噪声功率：1.23 fW/√Hz\n• 典型响应度：905 nm下为66 A/W\n• 推荐增益：150\n• 封装：TO-18，平面窗口，滤光片;

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埃赛力达

Package：TO-18-2 金属罐；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SI APD 0.5MM HIGH RESPONSE TO-18

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Package：TO-18；包装：带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SI APD, 0.5MM, TO-18 HIGH RESPON

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