C30954EH

1064nm长波长增强型硅APD; • 感光面积：0.5 mm²\n\n• 感光直径：0.8 mm\n\n• 击穿电压：>300, 375, <475 V\n\n• 电容：2pF\n\n• 暗电流：50nA\n\n• 增益：120\n\n• 噪声电流：1 pA/√Hz\n\n• 封装：TO-5\n\n• 峰值灵敏度波长：900 nm\n\n• 响应度：• 在900 nm处为75 A/W\n\n• 在1050 nm处为36 A/W\n\n• 在1150 nm为5 A/W\n\n• 上升/下降时间：2ns\n\n• 温度系数：2.4V/°C\n\n• 工作电压范围：275-450 V\n\n• 波长：400-1100nm;

功能与优点：\n\n0.8mm感光直径\n\n1060 nm波长处具有高量子效率\n\n快速响应时间\n\n较宽的工作温度范围\n\n低结电容\n\n气密封装\n\n符合RoHS标准\n\n提供TEC选项\n\n应用领域：\n\n测距\n\nLiDAR\n\nYAG激光探测\n\n

C30954EH

Package：TO-205AA，TO-5-3 金属罐；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 1064NM TO-5

C30954E

Photodiode