C309

150 WATTS (AC) DC/DC SINGLE OUTPUT

Features •SingleOutput •3Ux14TEx165mm 12TE:Uponrequest •Weight1kg

C309

MAGNETICS FOR RF, POWER,FILTER AND DATA APPLICATIONS

C30902E

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmerC30659SeriesincludesaSiliconorInGaAsAvalanchePhotodiodewithahybridpreamplifier.Itissuppliedinasinglemodified12-leadTO-8package.TheavalanchephotodiodesusedinthesedevicesaretheC30817E,C30902E,C30954E,C30956E,C30645EandC30662Ethatprov

C30902S

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmerC30659SeriesincludesaSiliconorInGaAsAvalanchePhotodiodewithahybridpreamplifier.Itissuppliedinasinglemodified12-leadTO-8package.TheavalanchephotodiodesusedinthesedevicesaretheC30817E,C30902E,C30954E,C30956E,C30645EandC30662Ethatprov

C30916E

Large Area Silicon Avalanche Photodiode for General-Purpose Applications

[EG&GCANADALTD.] LargeAreaSiliconAvalanchePhotodiodeforGeneral-PurposeApplications

C30921E

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmerC30659SeriesincludesaSiliconorInGaAsAvalanchePhotodiodewithahybridpreamplifier.Itissuppliedinasinglemodified12-leadTO-8package.TheavalanchephotodiodesusedinthesedevicesaretheC30817E,C30902E,C30954E,C30956E,C30645EandC30662Ethatprov

C30921S

Silicon Avalanche Photodiodes

Description PerkinElmerC30659SeriesincludesaSiliconorInGaAsAvalanchePhotodiodewithahybridpreamplifier.Itissuppliedinasinglemodified12-leadTO-8package.TheavalanchephotodiodesusedinthesedevicesaretheC30817E,C30902E,C30954E,C30956E,C30645EandC30662Ethatprov

C30950EH

混合光学APD接收器模块; • 系统带宽：50 MHz\n\n• 超低等效噪声功率（NEP）： • 在830 nm处为29 fW/√Hz\n\n• 在900 nm处为27 fW/√Hz\n\n\n\n• 光谱响应范围：峰值在900 nm\n\n• 典型功耗：60 mW\n\n• 高可靠性\n\n;

C30950EH具有成本效益，可替代采用双极放大器的C30659系列。C30650EH的针脚与C30659系列兼容。\n\n功能与优点：\n\n50 MHz带宽的Si APD接收器模块\n\n光谱响应：400至1100 nm\n\n气密TO-8封装\n\n高可靠性\n\n快速过载恢复\n\n光入射角130°\n\n针脚与埃赛力达C30659系列兼容\n\n应用领域：\n\n测距\n\n共聚焦显微镜\n\nLiDAR\n\n激光标示\n\n激光扫描检眼镜\n\n\n\n

C30954EH

1064nm长波长增强型硅APD; • 感光面积：0.5 mm²\n\n• 感光直径：0.8 mm\n\n• 击穿电压：>300, 375, <475 V\n\n• 电容：2pF\n\n• 暗电流：50nA\n\n• 增益：120\n\n• 噪声电流：1 pA/√Hz\n\n• 封装：TO-5\n\n• 峰值灵敏度波长：900 nm\n\n• 响应度：• 在900 nm处为75 A/W\n\n• 在1050 nm处为36 A/W\n\n• 在1150 nm为5 A/W\n\n• 上升/下降时间：2ns\n\n• 温度系数：2.4V/°C\n\n• 工作电压范围：275-450 V\n\n• 波长：400-1100nm;

功能与优点：\n\n0.8mm感光直径\n\n1060 nm波长处具有高量子效率\n\n快速响应时间\n\n较宽的工作温度范围\n\n低结电容\n\n气密封装\n\n符合RoHS标准\n\n提供TEC选项\n\n应用领域：\n\n测距\n\nLiDAR\n\nYAG激光探测\n\n

C30956EH

1064nm长波长增强型硅APD; • 感光面积：7 mm²\n\n• 感光直径：3 mm\n\n• 击穿电压：>325, 400, <500 V\n\n• 结电容：2.4 pF\n\n• 暗电流：100 nA\n\n• 增益：75\n\n• 噪声电流：1.1pA/√Hz\n\n• 封装：TO-8\n\n• 峰值灵敏度波长：900 nm\n\n• 响应度：• 在900 nm为45 A/W\n\n• 1050nm处为25A/W\n\n• 1150 nm处为3.5A/W\n\n• 上升/下降时间：2 ns\n\n• 温度系数：2.4V/°C\n\n• 工作电压范围：275-450 V\n\n• 波长：400-1100nm;

功能与优点：\n\n感光直径：3 mm\n\n1060 nm波长处具有高量子效率\n\n快速响应时间\n\n较宽的工作温度范围\n\n低结电容\n\n密封封装\n\n符合RoHS标准\n\n提供TEC选项\n\n应用领域：\n\n测距\n\nLiDAR\n\nYAG激光探测\n\n\n\n