LOW COST SILICON AVALANCHE PHOTODIODE (Plastic Encapsulated Package)

[EG&G CANADA]

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未分类制造商

Stable Gain Silicon Avalanche Photodiode (APD) for High Volume Range Finding

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未分类制造商

铟镓砷PIN光电二极管

功能与优点：\n\n提供超低电容选择 \n\n在1300 nm和1550 nm处响应度高\n\n感光面直径：5.0 mm\n\n大动态范围内的高线性度\n\n提供各种完善的TO封装\n\n可以进行封装定制（例如添加TEC）\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n光功率计\n\n光纤测试通讯\n\n近IR光谱\n\n激光仿形台\n\n仪器\n\nLiDAR\n\n • 击穿电压：> 10 V\n• 工作电压：5 V\n• 光伏电容：950 pF\n• 暗电流（1V时）：20.0nA\n• 封装：TO-8\n• 在1300和1550 nm具有高响应度\n• 响应度：• 850 nm时为0.20 A/W\n• 1300 nm时为0.90 A/W\n• 1550 nm时为0.95 A/W\n\n;

Excelitas

埃赛力达

大容量、高成本效益型Si APD

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度，上升和下降时间约为5 ns，下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用，可在固定电压下工作，无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。\n\n主要特性：\n\n采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD\n\n5 ns上升+下降时间-无拖尾\n\n低放大倍数下运行\n\n无需温度补偿\n\n关键应用：\n\n激光测距\n\n激光测距仪\n\n交通测速枪 • 感光面积：0.2mm2\n\n• 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：350V\n\n• 电容：1 pF\n\n• 暗电流：20 nA\n\n• 增益：>12、15、<18\n\n• 噪声电流：0.1pA/√Hz\n\n• 封装：TO-18\n\n• 峰值灵敏度波长：920 nm\n\n• 光敏直径：0.5 mm\n\n• 光敏直径：0.5 mm\n\n• 响应度：在920 nm处为8.5 A/W\n\n• 上升/下降时间：5 ns\n\n• 总暗电流（基板+表面）：20 nA\n\n• 工作电压范围：150-200 V\n\n• 波长：400-1100nm;

Excelitas

埃赛力达

大容量、高成本效益型Si APD

C30724PH Si APD针对800至950 nm的波长范围进行了优化。该硅APD特别适合大批量905 nm激光测距应用，可以在固定电压下运行，无需温度补偿。\n\n主要特性：\n\n带有920 nm峰值灵敏度波长的Si APD\n\n大体积设备\n\n塑料TO封装\n\n5 ns上升+下降时间-无拖尾\n\n低放大倍数下运行\n\n无需温度补偿\n\n应用领域：\n\n激光测距\n\n激光测距仪\n\n交通测速枪 • 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：350V\n\n• 电容：1 pF\n\n• 暗电流：20、<40 nA\n\n• 增益：>12、15、<18\n\n• 噪声电流：0.1、<0.25 pA/√Hz\n\n• 封装：T1 ¾塑料（TO-18）\n\n• 峰值灵敏度波长：920 nm\n\n• 响应度：在920 nm处为8.5 A/W\n\n• 上升/下降时间：5 ns\n\n• 总暗电流（基板+表面）：20、<40 nA\n\n• 工作电压范围：120-200 V\n\n• 波长：400-1100nm;

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埃赛力达

Package：TO-233AA，TO-8-3 透镜顶部金属罐；包装：散装 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：INGAAS PIN, 5MM, TO-8 PACKAGE

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Package：TO-18-2 金属罐；包装：散装 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SENSOR PHOTODIODE 920NM TO18-2

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