大面积UV增强型APD

功能与优点：\n\n高量子效率\n\n弱暗电流\n\n易于与闪烁晶体耦合\n\n不受电磁场干扰\n\n短波响应度提高；可提供定制封装\n\n优异的时间分辨率\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n高能物理\n\n辐射探测\n\n粒子物理学\n\n仪器\n\n环境监测 • 感光面积：100 mm²\n\n• 工作电压范围：275 - 425V\n\n• 电容：100 pF\n\n• 暗电流：250 nA\n\n• 噪声电流：0.5pA/√Hz\n\n• NEP：40 fW/√Hz，530nm\n\n• 封装：扁平封装\n\n• 峰值灵敏度波长：530 nm\n\n• 光敏面积：10 x 10 mm\n\n• 响应时间：5 ns\n\n• 响应度：在530 nm处为16 A/W;

Excelitas

埃赛力达

大面积UV增强型APD

功能与优点：\n\n高量子效率\n\n弱暗电流\n\n易于与闪烁晶体耦合\n\n不受电磁场干扰\n\n短波响应度提高。可提供定制封装\n\n优异的时间分辨率\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\n高能物理学\n\n辐射探测\n\n粒子物理学\n\n仪器\n\n环境监测\n\n • 感光面积：100 mm²\n• 工作电压范围：275 - 425V\n• 电容：60 pF\n• 暗电流：250 nA\n• 噪声电流：0.7pA/√Hz\n• NEP：40 fW/√Hz，530nm\n• 封装：扁平封装\n• 峰值灵敏度波长：530 nm\n• 光敏面积：10 x 10 mm\n• 响应时间：5 ns\n• 响应度：在530 nm处为16 A/W;

Excelitas

埃赛力达

Package：5-SIP 模块；包装：散装 类别：传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述：SI APD, 10X10MM, FLATPACK

Excelitas Technologies

Television Chroma System

文件：680.51 Kbytes 页数：15 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 72A ,RDS(ON) = 9mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 13mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-220 & TO-263 package.

文件：784.4 Kbytes 页数：4 Pages

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 62A, RDS(ON) = 9.5mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 13.5mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package.

文件：667.26 Kbytes 页数：4 Pages

CET

华瑞