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C30662EH

高性能铟镓砷APD

埃赛力达C30662EH InGaAs APD经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装;大孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量\n\n • 感光直径:200 µm\n• 击穿电压:40-70 V\n• 温度系数:0.14V/°C\n• 响应度:在1550 nm为9.3 A/W\n• 暗电流:45 nA\n• 光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz\n• 结电容:2.5 pF\n• 带宽:850 MHz\n• 量子效率:在1300-1550nm为75%\n• 增益:20\n• 封装:TO-18\n• 窗口孔径:大型2mm\n• 窗口类型:玻璃;

Excelitas

埃赛力达

C30662EH

Package:TO-18-2 金属罐;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述:INGAAS APD 200UM TO-18

Excelitas Technologies

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C30662EH-1

高性能铟镓砷APD

C30662EH-1 InGaAs APD经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装,大孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n专用于Delta-V > 4v\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • C30662EH-1:\n\n• 感光直径:200 µm\n\n• 击穿电压:40-70 VVbd-Vop: >4V\n\n• 温度系数:0.14V/°C\n\n• 响应度:在1550nm为9.3 A/W\n\n• 暗电流:45 nA\n\n• 光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz\n\n• 结电容:2.5 pF\n\n• 带宽:850 MHz\n\n• 量子效率:在1300-1550nm为75%\n\n• 增益:20\n\n• 封装:TO-18\n\n• 窗口孔径:大型2mm\n\n• 窗口类型:玻璃;

Excelitas

埃赛力达

C30662EH-3

高性能铟镓砷APD

C30662EH-3经过优化,用于1550nm波长,是人眼安全型激光测距系统的理想选择。\n\n功能与优点:\n\n大面积InGaAs APD 200 µm直径\n\n气密TO-18封装,小孔径玻璃\n\n光谱响应:1000至1700 nm\n\n低噪声和暗电流\n\n高增益和高量子探测效率\n\n带宽超过850 MHz\n\n可定制修改以满足特定需求\n\n应用领域:\n\n激光测距、扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信\n\n扫描和视频成像\n\n光学和自由空间通信分光光度计和反射测量 • 感光直径:200 µm击穿电压:40-70 V温度系数:0.14V/°C响应度:在1550 nm为9.3 A/W暗电流:45 nA光谱噪声电流:0.7 pA/√Hz结电容:2.5 pF带宽:850 MHz量子效率:在1300-1550nm为75%增益:20封装:TO-18 窗口孔径:小型0.8mm窗口类型:玻璃;

Excelitas

埃赛力达

C30662EH-1

Package:TO-18 小型;包装:散装 类别:传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述:INGAAS APD, 200UM, TO-18 PACKAGE

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C30662EH-3

Package:TO-18 小型;包装:散装 类别:传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管 描述:INGAAS APD, 200UM, TO-18 PACKAGE

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产品属性

  • 产品编号:

    C30662EH

  • 制造商:

    Excelitas Technologies

  • 类别:

    传感器,变送器 > 光学传感器 - 光电二极管

  • 系列:

    C30662

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 波长:

    1550nm

  • 频谱范围:

    1100nm ~ 1700nm

  • 二极管类型:

    雪崩

  • 不同 nm 时响应度:

    9.3 A/W @ 1550nm

  • 电流 - 暗(典型值):

    45nA

  • 有效面积:

    200µm 直径

  • 工作温度:

    -20°C ~ 70°C

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-18-2 金属罐

  • 描述:

    INGAAS APD 200UM TO-18

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更多C30662EH供应商 更新时间2025-12-21 11:06:00