Silicon and InGaAs APD Preamplifier Modules

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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Silicon and InGaAs APD Preamplifier Modules

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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Silicon and InGaAs APD Preamplifier Modules

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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Silicon and InGaAs APD Preamplifier Modules

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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Silicon and InGaAs APD Preamplifier Modules

Description PerkinElmer C30659 Series includes a Silicon or InGaAs Avalanche Photodiode with a hybrid preamplifier. It is supplied in a single modified 12-lead TO-8 package. The avalanche photodiodes used in these devices are the C30817E, C30902E, C30954E, C30956E, C30645E and C30662E that prov

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混合光学APD接收器模块

C30659系列采用反相放大器设计，带作为输出缓冲级的射极跟随器。\n\n这些模块中Si APD与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中的相同，而InGaAs APD与C30645EH和C30662EH产品中的相同。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度，而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端，设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。 • 系统带宽：200 MHz\n\n• 超低等效噪声功率（NEP） • 在900 nm处为55 fW/√Hz\n\n• 在1064 nm处为100 fW/√Hz\n\n\n\n• 光谱响应范围：400至1100nm，在1060 nm经过优化\n\n• 典型功耗：150 mW\n\n• ±5 V放大器工作电压\n\n• 50 Ω交流负载能力（交流耦合）\n\n• 气密TO-8封装\n\n• 高可靠性;

Excelitas

埃赛力达

混合光学APD接收器模块

埃赛力达C30659系列采用反相放大器设计，带作为输出缓冲级的射极跟随器。\n\n这些模块中Si APD与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中的相同，而InGaAs APD与C30645EH和C30662EH产品中的相同。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度，而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端，设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。 • 系统带宽：200 MHz\n\n• 超低等效噪声功率（NEP） • 在900 nm处为55 fW/√Hz\n\n• 在1064 nm处为100 fW/√Hz\n\n\n\n• 光谱响应范围：400至1100nm，在1060 nm经过优化\n\n• 典型功耗：150 mW\n\n• ±5 V放大器工作电压\n\n• 50 Ω交流负载能力（交流耦合）\n\n• 气密TO-8封装\n\n• 高可靠性;

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埃赛力达

混合光学APD接收器模块

C30659系列采用反相放大器设计，带作为输出缓冲级的射极跟随器。\n\n这些模块中Si APD与埃赛力达的C30817EH、 C30902EH、C30954EH和C30956EH产品中的相同，而InGaAs APD与C30645EH和C30662EH产品中的相同。这些检测器在830和1550 nm之间具有极佳响应度，而且在所有波长都具有极快的上升和下降时间。该模块的前置放大器部分使用超低噪声GaAs FET前端，设计用于在高于我们的标准C30950系列的跨阻下工作。 • 系统带宽：200 MHz\n\n• 超低等效噪声功率（NEP） • 在1300 nm处为250 fW/√Hz\n\n• 在1550 nm处为220 fW/√Hz\n\n\n\n• 光谱响应范围：峰值在1550 nm\n\n• 典型功耗：150 mW\n\n• ±5 V放大器工作电压\n\n• 50 Ω交流负载能力（交流耦合）\n\n• 气密TO-8封装\n\n• 高可靠性;

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埃赛力达